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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > NDB6060

NDB6060

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: D2PAK（TO-263）
數(shù)量：: 126
說明：: MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB

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NDB6060 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C25 毫歐 @ 24A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)60V
Id 時的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs70nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C48A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 1800pF @ 25V
功率 - 最大100W
安裝類型表面貼裝

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