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N0601N-ZK-E1-AY

廠家：: Renesas Electronics America Inc
封裝：: TO-263
數(shù)量：: 3681
說明：: MOSFET N-CH 60V 100A TO263

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N0601N-ZK-E1-AY PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：1.5W（Ta），156W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：7730 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：133 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：4.2 毫歐 @ 50A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：100A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：60 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Renesas Electronics America Inc

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