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中文參數(shù)如下：
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封裝封裝/外殼：ISOPLUS-DIL?
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率 - 最大值：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：10500pF @ 25V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：178nC @ 10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：3.1 毫歐 @ 100A，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：180A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：75V
FET 功能：-
配置：6 N-溝道（3 相橋）
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：IXYS
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