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首頁(yè) > 電子元件分類(lèi) > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F)

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: PW-MINI
數(shù)量：: 5319
說(shuō)明：: RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI

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MT3S111P(TE12L,F) PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
功率 - 最大值：
封裝封裝/外殼：TO-243AA
安裝類(lèi)型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 30mA，5V
功率 - 最大值：1W
增益：10.5dB
噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：1.25dB @ 1GHz
頻率 - 躍遷：8GHz
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：6V
晶體管類(lèi)型：NPN
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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