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MT3S111TU,LF

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: UFM
數(shù)量：: 5322
說明：: RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N

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MT3S111TU,LF PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
功率 - 最大值：
封裝封裝/外殼：3-SMD，扁平引線
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 30mA，5V
功率 - 最大值：800mW
增益：12.5dB
噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
頻率 - 躍遷：10GHz
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：6V
晶體管類型：NPN
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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