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MSCSM170AM039CD3AG

廠家：
  Microchip Technology
封裝：
 
數(shù)量：
 5424  
說(shuō)明：
 PM-MOSFET-SIC-SBD-D3
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MSCSM170AM039CD3AG PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：
封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
功率 - 最大值：2.4kW（Tc）
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：29700pF @ 1000V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：1602nC @ 20V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 22.5mA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：5 毫歐 @ 270A，20V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：523A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1700V（1.7kV）
FET 功能：-
配置：2 N 溝道（相角）
技術(shù)：碳化硅（SiC）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：散裝
品牌：Microchip Technology

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