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MSCSM120VR1M11CT6AG

廠家:
  Microchip Technology
封裝:
 
數(shù)量:
 5100  
說明:
 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
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MSCSM120VR1M11CT6AG PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

封裝封裝/外殼:模塊
安裝類型:底座安裝
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
功率 - 最大值:1.042kW(Tc)
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):9000pF @ 1000V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):696nC @ 20V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 9mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):10.4 毫歐 @ 120A,20V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):251A(Tc)
漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV)
FET 功能:-
配置:2 N 溝道(相角)
技術(shù):碳化硅(SiC)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:散裝
品牌:Microchip Technology

以上是MSCSM120VR1M11CT6AG的詳細(xì)信息,包括MSCSM120VR1M11CT6AG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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