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MSCSM120HM083AG

廠家：: Microchip Technology
封裝：
數(shù)量：: 5199
說明：: PM-MOSFET-SIC-SP6C

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MSCSM120HM083AG PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：
封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
功率 - 最大值：1.042kW（Tc）
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：9000pF @ 1000V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：696nC @ 20V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 9mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：10.4 毫歐 @ 120A，20V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：251A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
FET 功能：-
配置：4 N 溝道（全橋）
技術(shù)：碳化硅（SiC）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：散裝
品牌：Microchip Technology

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