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MSCSM120DDUM16TBL3NG

廠家：: Microchip Technology
封裝：: -
數(shù)量：: 3591
說明：: PM-MOSFET-SIC-BL3

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MSCSM120DDUM16TBL3NG PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：
封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率 - 最大值：560W
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：6040pF @ 1000V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：464nC @ 20V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 6mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：16 毫歐 @ 80A，20V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：150A
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
FET 功能：-
配置：4 N 溝道，共源
技術(shù)：碳化硅（SiC）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：散裝
品牌：Microchip Technology

以上是MSCSM120DDUM16TBL3NG的詳細(xì)信息，包括MSCSM120DDUM16TBL3NG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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