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MSCMC170AM08CT6LIAG

廠家：: Microchip Technology
封裝：: SP6C LI
數量：: 4554
說明：: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI

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MSCMC170AM08CT6LIAG PDF參數資料

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中文參數如下：
：
封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：1780W（Tc）
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：22000pF @ 1000V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：1128nC @ 20V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 108mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：11.7 毫歐 @ 300A，20V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：280A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1700V（1.7kV）
FET 功能：-
配置：2 N 溝道（相角）
技術：碳化硅（SiC）
產品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Microchip Technology

以上是MSCMC170AM08CT6LIAG的詳細信息，包括MSCMC170AM08CT6LIAG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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