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中文參數(shù)如下:
:
封裝封裝/外殼:模塊
安裝類(lèi)型:底座安裝
工作溫度:-40°C ~ 125°C(Tc)
功率 - 最大值:341W(Tc)
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):10700pF @ 50V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):161nC @ 10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):9.7 毫歐 @ 81A,10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):108A(Tc)
漏源電壓(Vdss):200V
FET 功能:-
配置:6 N-溝道(3 相橋)
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:散裝
品牌:Microchip Technology
以上是MSCM20XM10T3XG的詳細(xì)信息,包括MSCM20XM10T3XG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!