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MMDF1N05ER2G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 4491
說明：: MOSFET NFET SO8D 50V 200mA 300mOhm

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MMDF1N05ER2G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：40 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：30 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：1.5 S
下降時間：25 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.3 Ohms
漏極連續(xù)電流：2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：50 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是MMDF1N05ER2G的詳細(xì)信息，包括MMDF1N05ER2G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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