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MMBTH10LT3G

廠(chǎng)家：: ON Semiconductor
封裝：: SOT-23-3（TO-236）
數(shù)量：: 3123
說(shuō)明：: 兩極晶體管 - BJT SS VHF XSTR NPN 25V

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MMBTH10LT3G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠(chǎng)包裝數(shù)量：10000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：225 mW
封裝形式：SOT-23
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：60 at 4 mA at 10 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：650 MHz
集電極—射極飽和電壓：25 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：3 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：25 V
集電極—基極電壓 VCBO：30 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：兩極晶體管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是MMBTH10LT3G的詳細(xì)信息，包括MMBTH10LT3G廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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