日韩精品在线免费播放-午夜激情网址-日韩黄色一区-91网站免费在线观看-www黄色com-福利网站在线观看-欧美一区二区三区大片-久久久久久久久久久久久久国产-成人理论片-2020亚洲天堂-黄色成人91-毛片视频免费观看-一区二区黄色片-91亚洲精品在线-国产免费看av-黄色一级淫片-国产一级理论片

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > MMBT5962_Q

MMBT5962_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOT-23
數(shù)量：: 3492
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose

一、本商品被瀏覽0次.

MMBT5962_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：350 mW
集電極連續(xù)電流：0.1 A
封裝形式：SOT-23
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：450 at 10 uA at 5 V
最大直流電集電極電流：0.1 A
集電極—射極飽和電壓：45 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：8 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：45 V
集電極—基極電壓 VCBO：45 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：過渡期間
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是MMBT5962_Q的詳細信息，包括MMBT5962_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：