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MMBT5551LT1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: SOT-23-3
數(shù)量：: 26310
說明：: 兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN

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MMBT5551LT1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：3000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：225 mW
直流電流增益 hFE 最大值：250
集電極連續(xù)電流：0.6 A
封裝形式：SOT-23-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：80
最大直流電集電極電流：0.6 A
集電極—射極飽和電壓：160 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：6 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：160 V
集電極—基極電壓 VCBO：140 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是MMBT5551LT1G的詳細信息，包括MMBT5551LT1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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