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MJD31CT4G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: TO-252-3 (DPAK)
數量：: 5493
說明：: 兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W NPN

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MJD31CT4G PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：2500
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：1.56 W
集電極連續(xù)電流：3 A
封裝形式：TO-252-3 (DPAK)
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：25 at 1 A at 4 V
增益帶寬產品fT：3 MHz
最大直流電集電極電流：3 A
集電極—射極飽和電壓：100 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：100 V
集電極—基極電壓 VCBO：100 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是MJD31CT4G的詳細信息，包括MJD31CT4G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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