日韩精品在线免费播放-午夜激情网址-日韩黄色一区-91网站免费在线观看-www黄色com-福利网站在线观看-欧美一区二区三区大片-久久久久久久久久久久久久国产-成人理论片-2020亚洲天堂-黄色成人91-毛片视频免费观看-一区二区黄色片-91亚洲精品在线-国产免费看av-黄色一级淫片-国产一级理论片

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > MJD32BT4

MJD32BT4

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-252
數(shù)量：: 4554
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur Switch

一、本商品被瀏覽0次.

MJD32BT4 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：2500
包裝形式：Reel
最大功率耗散：15000 mW
封裝形式：TO-252
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：25
最大直流電集電極電流：3 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：80 V
集電極—基極電壓 VCBO：80 V
晶體管極性：NPN/PNP
RoHS：否
制造商：STMicroelectronics

以上是MJD32BT4的詳細信息，包括MJD32BT4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：