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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > MCB30P1200LB-TRR

MCB30P1200LB-TRR

廠家：: IXYS
封裝：: 9-SMPD-B
數(shù)量：: 4050
說明：: MCB30P1200LB-TRR

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MCB30P1200LB-TRR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：
封裝封裝/外殼：9-PowerSMD
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-
功率 - 最大值：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：-
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：-
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：-
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
FET 功能：-
配置：4 N 溝道（半橋）
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：MCB30P1200LB
系列：卷帶（TR）
品牌：IXYS

以上是MCB30P1200LB-TRR的詳細(xì)信息，包括MCB30P1200LB-TRR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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