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MCB180N10Y-TP

廠家：: Micro Commercial Co
封裝：: D2PAK
數(shù)量：: 2673
說明：: MOSFET N-CH D2-PAK

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MCB180N10Y-TP PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：357W（Tj）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：9200 pF @ 50 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：132 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：3.3 毫歐 @ 20A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：180A
漏源電壓（Vdss）：100 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Micro Commercial Co

以上是MCB180N10Y-TP的詳細信息，包括MCB180N10Y-TP廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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