LND01K1-G

廠家：: Microchip Technology
封裝：: SOT-23-5
數(shù)量：: 4767
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5

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LND01K1-G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-25°C ~ 125°C（TJ）
功率耗散（最大值）：360mW（Ta）
FET 功能：耗盡模式
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：46 pF @ 5 V
Vgs（最大值）：+0.6V，-12V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：1.4 歐姆 @ 100mA，0V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：330mA（Tj）
漏源電壓（Vdss）：9 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類(lèi)型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Microchip Technology

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