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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > LN100LA-G

LN100LA-G

廠家：: Microchip Technology
封裝：: 6-LFGA（3x3）
數(shù)量：: 8739
說明：: MOSFET 2N-CH 1200V

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LN100LA-G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：
封裝封裝/外殼：6-VFLGA
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-25°C ~ 125°C（TJ）
功率 - 最大值：350mW
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：50pF @ 25V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1.6V @ 10μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：3000 歐姆 @ 2mA，2.8V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：-
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
FET 功能：-
配置：2 N-溝道（級聯(lián)）
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Microchip Technology

以上是LN100LA-G的詳細信息，包括LN100LA-G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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