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KST55MTF_Q

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 SOT-23
數(shù)量：
 11080  
說明：
 兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
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KST55MTF_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

包裝形式：Reel
最大功率耗散：350 mW
集電極連續(xù)電流：- 0.5 A
封裝形式：SOT-23
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
直流集電極/Base Gain hfe Min：50
增益帶寬產(chǎn)品fT：50 MHz
最大直流電集電極電流：0.5 A
集電極—射極飽和電壓：- 60 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：- 4 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：- 60 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 60 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：否
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KST55MTF_Q的詳細(xì)信息，包括KST55MTF_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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