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KST56MTF_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SOT-23
數(shù)量:
 8199  
說(shuō)明:
 兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
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KST56MTF_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

包裝形式:Reel
最大功率耗散:350 mW
集電極連續(xù)電流:- 0.5 A
封裝形式:SOT-23
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:50 at 10 mA at 1 V
增益帶寬產(chǎn)品fT:50 MHz
最大直流電集電極電流:0.5 A
集電極—射極飽和電壓:- 80 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 80 V
集電極—基極電壓 VCBO:- 80 V
晶體管極性:PNP
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是KST56MTF_Q的詳細(xì)信息,包括KST56MTF_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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