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KST06MTF_Q

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 SOT-23
數(shù)量：
 8496  
說明：
 兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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KST06MTF_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

包裝形式：Reel
最大功率耗散：350 mW
集電極連續(xù)電流：0.5 A
封裝形式：SOT-23
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：50
增益帶寬產(chǎn)品fT：100 MHz
最大直流電集電極電流：0.5 A
集電極—射極飽和電壓：80 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：4 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：80 V
集電極—基極電壓 VCBO：80 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：否
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KST06MTF_Q的詳細(xì)信息，包括KST06MTF_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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