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KSP8598TA_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-92
數(shù)量:
 7632  
說明:
 兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
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KSP8598TA_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

包裝形式:Ammo
最大功率耗散:625 mW
直流電流增益 hFE 最大值:300
集電極連續(xù)電流:- 0.5 A
封裝形式:TO-92
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:100
增益帶寬產(chǎn)品fT:150 MHz
最大直流電集電極電流:0.5 A
集電極—射極飽和電壓:- 60 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 60 V
集電極—基極電壓 VCBO:- 60 V
晶體管極性:PNP
配置:Single
RoHS:否
產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor

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