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KSP25BU_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-92
數(shù)量:
 7326  
說明:
 達(dá)林頓晶體管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington
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KSP25BU_Q-TO-92圖片

KSP25BU_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

直流集電極/Base Gain hfe Min:10000
集電極連續(xù)電流:0.5 A
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-92
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:625 mW
最大集電極截止電流:0.1 uA
最大直流電集電極電流:0.5 A
集電極—基極電壓 VCBO:40 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:10 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:40 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是KSP25BU_Q的詳細(xì)信息,包括KSP25BU_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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