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KSP26BU_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-92
數(shù)量：: 7335
說明：: 達林頓晶體管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington

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KSP26BU_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

直流集電極/Base Gain hfe Min：10000
集電極連續(xù)電流：0.5 A
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-92
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：625 mW
最大集電極截止電流：0.1 uA
最大直流電集電極電流：0.5 A
集電極—基極電壓 VCBO：50 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：10 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：50 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KSP26BU_Q的詳細信息，包括KSP26BU_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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