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KSD261GTA

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-92-3
數(shù)量：: 8316
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor

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KSD261GTA PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
供應商器件：
封裝封裝/外殼：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引線
安裝類型：通孔
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：-
功率 - 最大值：500 mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 100mA，1V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：400mV @ 50mA，500mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：20 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：500 mA
晶體管類型：NPN
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：帶盒（TB）
品牌：onsemi

以上是KSD261GTA的詳細信息，包括KSD261GTA廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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