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KSD1408GTU

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-220F-3
數(shù)量:
 7857  
說明:
 兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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KSD1408GTU-TO-220F-3圖片

KSD1408GTU PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
供應商器件:
封裝封裝/外殼:TO-220-3 整包
安裝類型:通孔
工作溫度:150°C(TJ)
頻率 - 躍遷:8MHz
功率 - 最大值:25 W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):40 @ 500mA,5V
電流 - 集電極截止(最大值):30μA(ICBO)
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):1.5V @ 300mA,3A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):80 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):4 A
晶體管類型:NPN
產(chǎn)品狀態(tài):停產(chǎn)
包裝:-
系列:管件
品牌:onsemi

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