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KSC2330OSHTA

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-92L
數(shù)量：: 6376
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

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KSC2330OSHTA PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

包裝形式：Ammo
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：1 W
直流電流增益 hFE 最大值：240
封裝形式：TO-92L
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：40
增益帶寬產(chǎn)品fT：50 MHz
最大直流電集電極電流：0.1 A
集電極—射極飽和電壓：300 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：7 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：300 V
集電極—基極電壓 VCBO：300 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：否
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KSC2330OSHTA的詳細信息，包括KSC2330OSHTA廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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