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KSB1116AYTA_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-92
數(shù)量:
 3690  
說明:
 兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor
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KSB1116AYTA_Q-TO-92圖片

KSB1116AYTA_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

包裝形式:Ammo
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:0.75 W
集電極連續(xù)電流:- 1 A
封裝形式:TO-92
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:135 at 100 mA at 2 V
增益帶寬產(chǎn)品fT:120 MHz
最大直流電集電極電流:1 A
集電極—射極飽和電壓:- 50 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:6 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 50 V
集電極—基極電壓 VCBO:- 60 V
晶體管極性:PNP
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

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