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KSB1116SYBU

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-92-3
數(shù)量:
 4086  
說明:
 兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
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KSB1116SYBU-TO-92-3圖片

KSB1116SYBU PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
供應商器件:
封裝封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA)
安裝類型:通孔
工作溫度:150°C(TJ)
頻率 - 躍遷:120MHz
功率 - 最大值:750 mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):135 @ 100mA,2V
電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):300mV @ 50mA,1A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):50 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):1 A
晶體管類型:PNP
產(chǎn)品狀態(tài):停產(chǎn)
包裝:-
系列:散裝
品牌:onsemi

以上是KSB1116SYBU的詳細信息,包括KSB1116SYBU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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