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KSA1150YTA_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-126
數量：: 2925
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor

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KSA1150YTA_Q PDF參數資料

中文參數如下：

包裝形式：Ammo
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：300 mW
集電極連續(xù)電流：- 0.5 A
封裝形式：TO-126
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：120 at 100 mA at 1 V
最大直流電集電極電流：0.5 A
集電極—射極飽和電壓：- 400 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：- 400 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 400 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KSA1150YTA_Q的詳細信息，包括KSA1150YTA_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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