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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > IXYX200N65B3

IXYX200N65B3

廠家：: IXYS
封裝：: PLUS247?-3
數(shù)量：: 7614
說明：: IGBT

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IXYX200N65B3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-247-3 變式
安裝類型：通孔
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復(fù)時間 (trr)：108 ns
測試條件：400V，100A，0 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：60ns/370ns
柵極電荷：340 nC
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量：5mJ（開），4mJ（關(guān)）
功率 - 最大值：1560 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V，100A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：1100 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：410 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：-
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：XPT?, GenX3?
系列：管件
品牌：IXYS

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