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APTGT75DH120T3G

廠家：: Microchip Technology
封裝：
數(shù)量：: 3105
說(shuō)明：: IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP3

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APTGT75DH120T3G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝封裝/外殼：SP3
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
NTC 熱敏電阻：是
輸入：標(biāo)準(zhǔn)
不同?Vce 時(shí)輸入電容 (Cies)：5.34 nF @ 25 V
電流 - 集電極截止（最大值）：250 μA
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，75A
功率 - 最大值：357 W
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：110 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V
配置：非對(duì)稱橋
IGBT 類型：溝槽型場(chǎng)截止
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：散裝
品牌：Microchip Technology

以上是APTGT75DH120T3G的詳細(xì)信息，包括APTGT75DH120T3G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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