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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IXTY02N50D

IXTY02N50D

廠家：: Ixys
封裝：: TO-252AA
數(shù)量：: 8118
說明：: MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds

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IXTY02N50D PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：28 ns
工廠包裝數(shù)量：75
上升時間：4 ns
功率耗散：1100 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：4 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-252AA-3
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：30000 mOhms
漏極連續(xù)電流：0.2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：500 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTY02N50D的詳細信息，包括IXTY02N50D廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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