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IXTY01N100D

廠家:
  Ixys
封裝:
 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
數(shù)量:
 8360  
說明:
 MOSFET MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25
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IXTY01N100D-TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63圖片

IXTY01N100D PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:30 ns
工廠包裝數(shù)量:75
上升時間:6 ns
功率耗散:1100 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:6 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-252AA-3
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):80000 mOhms
漏極連續(xù)電流:0.1 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:1000 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:IXYS

以上是IXTY01N100D的詳細(xì)信息,包括IXTY01N100D廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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