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IXTQ60N20T

廠家：: IXYS
封裝：: TO-3P
數(shù)量：: 8102
說明：: MOSFET N-CH 200V 60A TO3P

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IXTQ60N20T PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：500W（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：4530 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：73 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：40 毫歐 @ 30A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：60A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：200 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：Trench
系列：管件
品牌：IXYS

以上是IXTQ60N20T的詳細信息，包括IXTQ60N20T廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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