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IXTQ30N60P

廠家:
  Ixys
封裝:
 TO-3P
數(shù)量:
 8964  
說(shuō)明:
 MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
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IXTQ30N60P-TO-3P圖片

IXTQ30N60P PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:80 ns
工廠包裝數(shù)量:30
上升時(shí)間:20 ns
功率耗散:540 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :25 s
下降時(shí)間:25 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-3P
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.24 Ohms
漏極連續(xù)電流:30 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXTQ30N60P的詳細(xì)信息,包括IXTQ30N60P廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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