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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IXTQ150N06P

IXTQ150N06P

廠家：: Ixys
封裝：: TO-3P
數(shù)量：: 387
說明：: MOSFET 150 Amps 60V 0.01 Ohm Rds

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IXTQ150N06P PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：66 ns
工廠包裝數(shù)量：30
上升時間：53 ns
功率耗散：480 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：45 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-3P
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.01 Ohms
漏極連續(xù)電流：150 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTQ150N06P的詳細信息，包括IXTQ150N06P廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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