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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IXTH16N10D2

IXTH16N10D2

廠家：: Ixys
封裝：: TO-247（IXTH）
數(shù)量：: 963
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 100V 16A MOSFET

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IXTH16N10D2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：340 ns
上升時(shí)間：43 ns
功率耗散：830 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：22 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：11 S
下降時(shí)間：70 ns
封裝形式：TO-247
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.064 Ohms
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTH16N10D2的詳細(xì)信息，包括IXTH16N10D2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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