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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IXTH10N100D2

IXTH10N100D2

廠家：: IXYS
封裝：: TO-247（IXTH）
數(shù)量：: 5103
說明：: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247

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IXTH10N100D2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：695W（Tc）
FET 功能：耗盡模式
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：5320 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：200 nC @ 5 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：1.5 歐姆 @ 5A，10V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：10A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1000 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：Depletion
系列：管件
品牌：IXYS

以上是IXTH10N100D2的詳細(xì)信息，包括IXTH10N100D2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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