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IXTA8N50P

廠家:
  Ixys
封裝:
 TO-263AA
數(shù)量:
 6876  
說明:
 MOSFET 8 Amps 500V 0.8 Ohm Rds
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IXTA8N50P-TO-263AA圖片

IXTA8N50P PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:65 ns
工廠包裝數(shù)量:50
上升時間:28 ns
功率耗散:150 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :8 s
下降時間:23 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-263
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.8 Ohms
漏極連續(xù)電流:8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXTA8N50P的詳細信息,包括IXTA8N50P廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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