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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IXTA08N100D2HV

IXTA08N100D2HV

廠家：: IXYS
封裝：: TO-263HV
數(shù)量：: 2862
說明：: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV

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IXTA08N100D2HV PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：60W（Tc）
FET 功能：耗盡模式
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：325 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：14.6 nC @ 5 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 25μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：21 歐姆 @ 400mA，0V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：800mA（Tj）
漏源電壓（Vdss）：1000 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：Depletion
系列：管件
品牌：IXYS

以上是IXTA08N100D2HV的詳細(xì)信息，包括IXTA08N100D2HV廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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