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IXT-1-1N100S1-TR

廠家：: IXYS
封裝：: -
數(shù)量：: 8433
說明：: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

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IXT-1-1N100S1-TR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-
功率耗散（最大值）：-
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：-
Vgs（最大值）：-
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：-
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：1.5A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1000 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：IXYS

以上是IXT-1-1N100S1-TR的詳細(xì)信息，包括IXT-1-1N100S1-TR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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