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IXFT60N20F

廠家:
  Ixys
封裝:
 TO-268
數(shù)量:
 6957  
說明:
 MOSFET
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IXFT60N20F PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:42 ns
工廠包裝數(shù)量:30
上升時(shí)間:14 ns
功率耗散:315 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:7 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-268
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.038 Ohms
漏極連續(xù)電流:60 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXFT60N20F的詳細(xì)信息,包括IXFT60N20F廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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