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IXFT50N30Q3

廠家：: Ixys
封裝：: TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
數(shù)量：: 1404
說(shuō)明：: MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A

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IXFT50N30Q3-TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA圖片

IXFT50N30Q3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

上升時(shí)間：250 ns
功率耗散：690 W
柵極電荷 Qg：65 nC
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-268
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：80 mOhms
漏極連續(xù)電流：50 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：300 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFT50N30Q3的詳細(xì)信息，包括IXFT50N30Q3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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