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IXFN55N50

廠家：: Ixys
封裝：: SOT-227B
數(shù)量：: 8811
說(shuō)明：: MOSFET 55 Amps 500V 0.08 Rds

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IXFN55N50 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：120 ns
工廠包裝數(shù)量：10
上升時(shí)間：60 ns
功率耗散：625 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：45 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOT-227B
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.09 Ohms
漏極連續(xù)電流：55 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：500 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFN55N50的詳細(xì)信息，包括IXFN55N50廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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