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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IXFN40N110Q3

IXFN40N110Q3

廠家：: IXYS
封裝：: SOT-227B
數(shù)量：: 1557
說明：: MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B

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IXFN40N110Q3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：960W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：14000 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：300 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：6.5V @ 8mA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：260 毫歐 @ 20A，10V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：35A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1100 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：HiPerFET?, Q3 Class
系列：管件
品牌：IXYS

以上是IXFN40N110Q3的詳細(xì)信息，包括IXFN40N110Q3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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