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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IXFN27N120SK

IXFN27N120SK

廠家：: IXYS
封裝：: SOT-227B
數(shù)量：: 2439
說明：: SICARBIDE-DISCRETE MOSFET SOT-22

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IXFN27N120SK PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：
封裝封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-
功率 - 最大值：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：-
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：-
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：-
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
FET 功能：-
配置：2 N-通道（雙）
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：IXYS

以上是IXFN27N120SK的詳細(xì)信息，包括IXFN27N120SK廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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